DS2045Y-70#

Maxim Integrated(美信) 主动器件

IC NVSRAM 1Mbit 70NS 256BGA

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 70ns 256-BGA 27x27

得捷:
IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA

贸泽:
NVRAM

DS2045Y-70#中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.50V max

存取时间 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-256

外形尺寸

封装 BGA-256

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

DS2045Y-70#引脚图与封装图

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替代型号DS2045Y-70#

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS2045Y-70# 品牌： Maxim Integrated 美信封装： 256-BGA 5.5V	当前型号	IC NVSRAM 1Mbit 70NS 256BGA	当前型号
型号： DS2045Y-100# 品牌：美信封装： 256-BGA 5.5V	完全替代	IC NVSRAM 1Mbit 100NS 256BGA	DS2045Y-70#和DS2045Y-100#的区别
型号： DS2045W-100 品牌：美信封装： BGA	类似代替	3.3V单件的1Mb非易失SRAM 3.3V Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM	DS2045Y-70#和DS2045W-100的区别
型号： DS2045AB-100 品牌：美信封装： 256-BGA	类似代替	IC NVSRAM 1Mbit 100NS 256BGA	DS2045Y-70#和DS2045AB-100的区别