电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
安装方式 Surface Mount
封装 PowerCap-34
长度 23.5 mm
宽度 25.02 mm
高度 2.03 mm
封装 PowerCap-34
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
DS1250ABP-100引脚图
DS1250ABP-100封装图
DS1250ABP-100封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1250ABP-100 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 34PCM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1250ABP-100 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: 34-PowerCap 4000000B 5V 100ns | 当前型号 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 34PCM | 当前型号 | |
型号: DS1250ABP-100+ 品牌: 美信 封装: PowerCap | 完全替代 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 34PCM | DS1250ABP-100和DS1250ABP-100+的区别 | |
型号: DS1250ABP-70+ 品牌: 美信 封装: PWRCP | 类似代替 | NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 34Pin PowerCap Module | DS1250ABP-100和DS1250ABP-70+的区别 | |
型号: DS1250ABP-100-IND 品牌: 达拉斯半导体 封装: | 功能相似 | 4096K Nonvolatile SRAM | DS1250ABP-100和DS1250ABP-100-IND的区别 |