DS1270W-150

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 16Mbit 150NS 36EDIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 16Mb（2M x 8）并联 150 ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

DS1270W-150中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DS1270W-150引脚图与封装图

DS1270W-150引脚图

DS1270W-150封装图

DS1270W-150封装焊盘图

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型号	制造商	描述	购买
DS1270W-150	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 16Mbit 150NS 36EDIP	搜索库存

替代型号DS1270W-150

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1270W-150 品牌： Maxim Integrated 美信封装： EDIP 16000000B 3.3V 150ns 36Pin	当前型号	IC NVSRAM 16Mbit 150NS 36EDIP	当前型号
型号： DS1270W-150# 品牌：美信封装： EDIP	完全替代	Ic Nvsram 16Mbit 150ns 36dip - Ds1270w-150	DS1270W-150和DS1270W-150#的区别
型号： DS1270W-100IND 品牌：美信封装： MOD 16000000B 3.3V 100ns 36Pin	类似代替	IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP	DS1270W-150和DS1270W-100IND的区别
型号： DS1270AB-70 品牌：美信封装： 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin	类似代替	IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP	DS1270W-150和DS1270AB-70的区别