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DS1350WP-100IND

DS1350WP-100IND

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 100 ns 34-PowerCap 模块


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP


DS1350WP-100IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 4000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerCap-34

外形尺寸

封装 PowerCap-34

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1350WP-100IND引脚图与封装图
DS1350WP-100IND引脚图

DS1350WP-100IND引脚图

DS1350WP-100IND封装图

DS1350WP-100IND封装图

DS1350WP-100IND封装焊盘图

DS1350WP-100IND封装焊盘图

在线购买DS1350WP-100IND
型号 制造商 描述 购买
DS1350WP-100IND Maxim Integrated 美信 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor 搜索库存
替代型号DS1350WP-100IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1350WP-100IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DMA 4000000B 3.3V 100ns

当前型号

3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

当前型号

型号: DS1350WP-100IND+

品牌: 美信

封装: PowerCap 4000000B 3.3V 100ns

完全替代

3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1350WP-100IND和DS1350WP-100IND+的区别

型号: DS1350WP-100+

品牌: 美信

封装: PWRCP 4000000B 3.3V 100ns

完全替代

NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor

DS1350WP-100IND和DS1350WP-100+的区别

型号: DS1350WP-100

品牌: 美信

封装: DMA 4000000B 3.3V 100ns

完全替代

3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1350WP-100IND和DS1350WP-100的区别