电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
封装 PowerCap-34
封装 PowerCap-34
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1350WP-100IND引脚图
DS1350WP-100IND封装图
DS1350WP-100IND封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1350WP-100IND | Maxim Integrated 美信 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1350WP-100IND 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DMA 4000000B 3.3V 100ns | 当前型号 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | 当前型号 | |
型号: DS1350WP-100IND+ 品牌: 美信 封装: PowerCap 4000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | DS1350WP-100IND和DS1350WP-100IND+的区别 | |
型号: DS1350WP-100+ 品牌: 美信 封装: PWRCP 4000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor | DS1350WP-100IND和DS1350WP-100+的区别 | |
型号: DS1350WP-100 品牌: 美信 封装: DMA 4000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | DS1350WP-100IND和DS1350WP-100的区别 |