DS1250W-100
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1250W-100中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 EDIP-32
外形尺寸
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
海关信息
香港进出口证 NLR
DS1250W-100引脚图与封装图 
DS1250W-100引脚图
DS1250W-100封装图
DS1250W-100封装焊盘图
在线购买DS1250W-100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1250W-100 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 搜索库存 |
替代型号DS1250W-100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1250W-100 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 4000000B 3.3V 100ns 32Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 当前型号 |
| 型号： DS1250W-100+ 品牌： 美信 封装： EDIP-32 | 完全替代 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP | DS1250W-100和DS1250W-100+的区别 |