锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DS1230AB-120IND

DS1230AB-120IND

数据手册.pdf

IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 120ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


贸泽:
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM


DS1230AB-120IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 120 GHz

存取时间 120 ns

内存容量 256000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

DS1230AB-120IND引脚图与封装图
DS1230AB-120IND引脚图

DS1230AB-120IND引脚图

DS1230AB-120IND封装图

DS1230AB-120IND封装图

DS1230AB-120IND封装焊盘图

DS1230AB-120IND封装焊盘图

在线购买DS1230AB-120IND
型号 制造商 描述 购买
DS1230AB-120IND Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP 搜索库存
替代型号DS1230AB-120IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1230AB-120IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 256000B 5V 120ns 28Pin

当前型号

IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP

当前型号

型号: DS1230Y-120+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230AB-120IND和DS1230Y-120+的区别

型号: DS1230AB-120+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin

类似代替

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

DS1230AB-120IND和DS1230AB-120+的区别

型号: DS1230AB-70IND+

品牌: 美信

封装: EDIP 32000B 4.75V 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230AB-120IND和DS1230AB-70IND+的区别