电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 256000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
DS1230AB-120IND引脚图
DS1230AB-120IND封装图
DS1230AB-120IND封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1230AB-120IND | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1230AB-120IND 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 256000B 5V 120ns 28Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP | 当前型号 | |
型号: DS1230Y-120+ 品牌: 美信 封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-120+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-120IND和DS1230Y-120+的区别 | |
型号: DS1230AB-120+ 品牌: 美信 封装: DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | DS1230AB-120IND和DS1230AB-120+的区别 | |
型号: DS1230AB-70IND+ 品牌: 美信 封装: EDIP 32000B 4.75V 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-120IND和DS1230AB-70IND+的区别 |