DS1245Y-70
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1245Y-70中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 125000 B
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
外形尺寸
封装 DIP-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1245Y-70引脚图与封装图 
DS1245Y-70引脚图
DS1245Y-70封装图
DS1245Y-70封装焊盘图
在线购买DS1245Y-70
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1245Y-70 | Maxim Integrated 美信 | 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
替代型号DS1245Y-70
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1245Y-70 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： 32-DIP 125000B 5V 70ns 32Pin | 当前型号 | 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM | 当前型号 |
| 型号： M48Z128Y-70PM1 品牌： 意法半导体 封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin | 完全替代 | 1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM | DS1245Y-70和M48Z128Y-70PM1的区别 |
| 型号： DS1245Y-70IND 品牌： 美信 封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin | 完全替代 | 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM | DS1245Y-70和DS1245Y-70IND的区别 |
| 型号： DS1245Y-70IND+ 品牌： 美信 封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1245Y-70和DS1245Y-70IND+的区别 |