DS1230AB-150

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 150ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP

DS1230AB-150中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 256000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1230AB-150引脚图与封装图

DS1230AB-150引脚图

DS1230AB-150封装图

DS1230AB-150封装焊盘图

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DS1230AB-150	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP	搜索库存

替代型号DS1230AB-150

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1230AB-150 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 256000B 5V 150ns 28Pin	当前型号	IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP	当前型号
型号： DS1230AB-150+ 品牌：美信封装： DIP 256000B 5V 150ns 28Pin	完全替代	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-150+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1230AB-150和DS1230AB-150+的区别
型号： DS1230AB-70+ 品牌：美信封装： DIP 32000B 5V 70ns 28Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1230AB-150和DS1230AB-70+的区别
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