DS1245AB-85

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 1Mbit 85NS 32DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 1Mb（128K x 8）并联 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

贸泽:
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245AB-85中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85 ns

内存容量 1000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

DS1245AB-85引脚图与封装图

DS1245AB-85引脚图

DS1245AB-85封装图

DS1245AB-85封装焊盘图

在线购买DS1245AB-85

型号	制造商	描述	购买
DS1245AB-85	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 1Mbit 85NS 32DIP	搜索库存

替代型号DS1245AB-85

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1245AB-85 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 1000000B 5V 85ns 32Pin	当前型号	IC NVSRAM 1Mbit 85NS 32DIP	当前型号
型号： DS1245AB-70+ 品牌：美信封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1245AB-85和DS1245AB-70+的区别
型号： DS1245AB-85+ 品牌：美信封装： EDIP	类似代替	IC NVSRAM 1024Kbit 85NS 32DIP	DS1245AB-85和DS1245AB-85+的区别
型号： BQ4013MA-85 品牌：德州仪器封装： 32-DIP 125000B 5V 85ns 32Pin	功能相似	128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V	DS1245AB-85和BQ4013MA-85的区别