电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
负载电容 5.00 pF
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 8000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1225AB-150引脚图
DS1225AB-150封装图
DS1225AB-150封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1225AB-150 | Maxim Integrated 美信 | 8k x 8 非易失性 SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1225AB-150 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 8000B 5V 150ns 28Pin | 当前型号 | 8k x 8 非易失性 SRAM | 当前型号 | |
型号: DS1225AB-150+ 品牌: 美信 封装: DIP 8000B 5V 150ns 28Pin | 完全替代 | RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | DS1225AB-150和DS1225AB-150+的区别 | |
型号: DS1225AB-150IND+ 品牌: 美信 封装: EDIP 8000B 4.75V 28Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-150IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1225AB-150和DS1225AB-150IND+的区别 | |
型号: DS1225AB-150IND 品牌: 美信 封装: DIP 8000B 4.75V 150ns 28Pin | 功能相似 | IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP | DS1225AB-150和DS1225AB-150IND的区别 |