DS1230Y-120
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1230Y-120中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 32000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
外形尺寸
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-28
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1230Y-120引脚图与封装图 
DS1230Y-120引脚图
DS1230Y-120封装图
DS1230Y-120封装焊盘图
在线购买DS1230Y-120
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1230Y-120 | Maxim Integrated 美信 | 256K非易失SRAM 256k Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
替代型号DS1230Y-120
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1230Y-120 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 当前型号 | 256K非易失SRAM 256k Nonvolatile SRAM | 当前型号 |
| 型号： DS1230Y-120+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-120+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230Y-120和DS1230Y-120+的区别 |
| 型号： DS1230Y-70+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 70ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230Y-120和DS1230Y-70+的区别 |
| 型号： DS1230AB-120+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | DS1230Y-120和DS1230AB-120+的区别 |