DS1225AB-200IND
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1225AB-200IND中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 64000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
外形尺寸
封装 DIP-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1225AB-200IND引脚图与封装图 
DS1225AB-200IND引脚图
DS1225AB-200IND封装图
DS1225AB-200IND封装焊盘图
在线购买DS1225AB-200IND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1225AB-200IND | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1225AB-200IND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1225AB-200IND 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 64000B 5V 200ns 28Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1225AB-200IND+ 品牌： 美信 封装： DIP 64000B 5V 200ns 28Pin | 完全替代 | 非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28 | DS1225AB-200IND和DS1225AB-200IND+的区别 |
| 型号： DS1225AB-200+ 品牌： 美信 封装： DIP 8000B 5V 200ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1225AB-200IND和DS1225AB-200+的区别 |
| 型号： DS1225AB-200 品牌： 美信 封装： DIP 8000B 5V 200ns 28Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP | DS1225AB-200IND和DS1225AB-200的区别 |