电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 32000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
DS1230AB-200引脚图
DS1230AB-200封装图
DS1230AB-200封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DS1230AB-200 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DS1230AB-200 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: 28-DIP 32000B 5V 200ns 28Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP | 当前型号 | |
型号: DS1230AB-200+ 品牌: 美信 封装: DIP 32000B 5V 200ns 28Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-200和DS1230AB-200+的区别 | |
型号: DS1230AB-200IND+ 品牌: 美信 封装: 28-DIP | 完全替代 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 | DS1230AB-200和DS1230AB-200IND+的区别 | |
型号: DS1230AB-70+ 品牌: 美信 封装: DIP 32000B 5V 70ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-200和DS1230AB-70+的区别 |