DN3535N8-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
DN3535N8-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 10 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 360 pF
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.23A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 360pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DN3535N8-G引脚图与封装图 
DN3535N8-G引脚图
DN3535N8-G封装图
DN3535N8-G封装焊盘图
在线购买DN3535N8-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN3535N8-G | Microchip 微芯 | MICROCHIP DN3535N8-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 350 V, 10 ohm, 0 V | 搜索库存 |
替代型号DN3535N8-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DN3535N8-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-89 N-Channel 350V 0.23A | 当前型号 | MICROCHIP DN3535N8-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 350 V, 10 ohm, 0 V | 当前型号 |
| 型号： DN3535N8 品牌： 超科 封装： SOT-89 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.23A 4Pin3+Tab SOT-89 | DN3535N8-G和DN3535N8的区别 |