锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DN2450N8-G

DN2450N8-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

MICROCHIP  DN2450N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 500 V, 7 ohm, 0 V

表面贴装型 N 通道 500 V 230mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA


立创商城:
DN2450N8-G


欧时:
### Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip


贸泽:
MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 230 mA, 7 ohm, SOT-89, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
3 SOT-89T/RMOSFET; DEPLETION-MODE; 500V; 10 Ohm


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 3-Pin SOT-89 T/R


富昌:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 Ohm


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin3+Tab SOT-89


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.7A; 1.6W; SOT89-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Newark:
# MICROCHIP  DN2450N8-G  MOSFET Transistor, N Channel, 230 mA, 500 V, 7 ohm, 0 V


DN2450N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

针脚数 3

漏源极电阻 7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 0.23A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 150pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DN2450N8-G引脚图与封装图
DN2450N8-G引脚图

DN2450N8-G引脚图

DN2450N8-G封装图

DN2450N8-G封装图

DN2450N8-G封装焊盘图

DN2450N8-G封装焊盘图

在线购买DN2450N8-G
型号 制造商 描述 购买
DN2450N8-G Microchip 微芯 MICROCHIP  DN2450N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 500 V, 7 ohm, 0 V 搜索库存