DMG964H50R

Panasonic(松下) 分立器件

SSMini6-F3-B NPN+PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA - 125mW 表面贴装型 SSMini6-F3-B

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SSMini6-F3-B T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

DMG964H50R中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSMini6-F3-B

外形尺寸

封装 SSMini6-F3-B

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMG964H50R引脚图与封装图

DMG964H50R引脚图

DMG964H50R封装图

DMG964H50R封装焊盘图

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