DTB143ESTP
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB143ESTP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 SC-72
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 2 mm
高度 3 mm
封装 SC-72
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DTB143ESTP引脚图与封装图
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在线购买DTB143ESTP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB143ESTP | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA | 搜索库存 |
替代型号DTB143ESTP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB143ESTP 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SPT PNP -50V -500mA 300mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA | 当前型号 |
| 型号： DTB143ES 品牌： 罗姆半导体 封装： SPT PNP | 功能相似 | 数字晶体管（内置电阻） Digital transistors built-in resistors | DTB143ESTP和DTB143ES的区别 |
| 型号： DTB143EA 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATR, 3 PIN | DTB143ESTP和DTB143EA的区别 |