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DTB113ESTP

DTB113ESTP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SPT PNP 50V 500mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW 通孔 SPT


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 500mA 3-Pin SPT T/R


DTB113ESTP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72-3

外形尺寸

封装 SC-72-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTB113ESTP引脚图与封装图
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