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DTA124ESATP

DTA124ESATP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

PNP 50V 30MA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 300mW Through Hole SPT


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SPT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT


DTA124ESATP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -30.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2 mm

高度 3 mm

封装 SC-72

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTA124ESATP引脚图与封装图
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