DTD513ZMT2L

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3

DTD513ZMT2L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

DTD513ZMT2L引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
DTD513ZMT2L	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率	搜索库存

替代型号DTD513ZMT2L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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