DTC643TUT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC643TUT106中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 600mA
最小电流放大倍数hFE 820 @50mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 2700
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTC643TUT106引脚图与封装图 
DTC643TUT106引脚图
DTC643TUT106封装图
DTC643TUT106封装焊盘图
在线购买DTC643TUT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC643TUT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 4.7 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTC643TUT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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