DTB743EMT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB743EMT2L中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 200mA
最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VMT-3
外形尺寸
封装 VMT-3
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB743EMT2L引脚图与封装图
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