DTB543XMT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB543XMT2L中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5mA
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 260 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
外形尺寸
封装 SOT-723
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB543XMT2L引脚图与封装图
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在线购买DTB543XMT2L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB543XMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号DTB543XMT2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB543XMT2L 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-723 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： DTB513ZMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 PNP 0.15W | 类似代替 | VMT PNP 12V 500mA | DTB543XMT2L和DTB513ZMT2L的区别 |
| 型号： DTB523YMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT PNP | 类似代替 | VMT PNP 12V 500mA | DTB543XMT2L和DTB523YMT2L的区别 |
| 型号： DTB513ZETL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT PNP 150mW | 功能相似 | 双电阻器数字 PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTB543XMT2L和DTB513ZETL的区别 |