DTD143ECT216
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTD143ECT216中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 47
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 47
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
外形尺寸
封装 SC-59-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
DTD143ECT216引脚图与封装图
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在线购买DTD143ECT216
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTD143ECT216 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTD143ECT216 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 47 hFE | 搜索库存 |
替代型号DTD143ECT216
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTD143ECT216 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-59-3 N-Channel 200mW | 当前型号 | ROHM DTD143ECT216 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 47 hFE | 当前型号 |
| 型号： DTD143ECT116 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-23 NPN 200mW | 功能相似 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率 | DTD143ECT216和DTD143ECT116的区别 |