DTA114ECAT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA114ECAT116中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA114ECAT116引脚图与封装图
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在线购买DTA114ECAT116
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114ECAT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 | 搜索库存 |
替代型号DTA114ECAT116
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114ECAT116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-23-3 PNP | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 | 当前型号 |
| 型号： DDTA114ECA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 50mA 200mW | 功能相似 | 特点 •PNP预偏置小信号SOT-2.. | DTA114ECAT116和DDTA114ECA-7-F的区别 |
| 型号： FJV4102RMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA | 功能相似 | 特点•开关应用（偏置电阻内置）•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R1=10KΩ，R2=10KΩ）•到FJV3102R补 | DTA114ECAT116和FJV4102RMTF的区别 |
| 型号： DDTA114ECA-7 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R | DTA114ECAT116和DDTA114ECA-7的区别 |