额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-85
封装 SC-85
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTC043TUBTL引脚图
DTC043TUBTL封装图
DTC043TUBTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC043TUBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC043TUBTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT-3 NPN | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm | 当前型号 | |
型号: DTC143TETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 NPN 50V 100mA 150mW | 功能相似 | ROHM DTC143TETL 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 5 mA, 250 hFE | DTC043TUBTL和DTC143TETL的区别 | |
型号: DTC115TMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 NPN 50V 100mA 0.15W | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN | DTC043TUBTL和DTC115TMT2L的区别 | |
型号: DTC115TUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT3 NPN 50V 100mA | 功能相似 | DTC115TUAT106 编带 | DTC043TUBTL和DTC115TUAT106的区别 |