额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 260 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
封装 SOT-723
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTB523YMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | VMT PNP 12V 500mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTB523YMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT PNP | 当前型号 | VMT PNP 12V 500mA | 当前型号 | |
型号: DTB513ZETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT PNP 150mW | 完全替代 | 双电阻器数字 PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTB523YMT2L和DTB513ZETL的区别 | |
型号: DTB523YETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT PNP 0.15W | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR | DTB523YMT2L和DTB523YETL的区别 | |
型号: DTB543ZETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 PNP | 完全替代 | EMT PNP 12V 500mA | DTB523YMT2L和DTB543ZETL的区别 |