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DTA115TETL

DTA115TETL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

EMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R


DTA115TETL中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTA115TETL引脚图与封装图
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