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DTD133HKT146

DTD133HKT146

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SMT NPN 50V 500mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3


DTD133HKT146中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTD133HKT146引脚图与封装图
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在线购买DTD133HKT146
型号 制造商 描述 购买
DTD133HKT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 SMT NPN 50V 500mA 搜索库存
替代型号DTD133HKT146
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTD133HKT146

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-346 NPN 50V 500mA

当前型号

SMT NPN 50V 500mA

当前型号

型号: DTD114GKT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SMT NPN 50V 500mA

完全替代

DTD114GKT146 编带

DTD133HKT146和DTD114GKT146的区别

型号: DDTD133HC-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 200mW

类似代替

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

DTD133HKT146和DDTD133HC-7-F的区别

型号: DTD113ZS

品牌: 罗姆半导体

封装:

功能相似

500毫安/ 50V数字晶体管(带内置式电阻器) 500mA / 50V Digital transistors with built-in resistors

DTD133HKT146和DTD113ZS的区别