DTA114EEFRATL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA114EEFRATL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA114EEFRATL引脚图与封装图 
DTA114EEFRATL引脚图
DTA114EEFRATL封装图
DTA114EEFRATL封装焊盘图
在线购买DTA114EEFRATL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114EEFRATL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTA114EEFRATL 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | 搜索库存 |
替代型号DTA114EEFRATL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114EEFRATL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-416 PNP | 当前型号 | ROHM DTA114EEFRATL 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | 当前型号 |
| 型号： DTA114EET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V 70mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DTA114EEFRATL和DTA114EET1G的区别 |