DTC015EUBTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC015EUBTL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-85
外形尺寸
封装 SC-85
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTC015EUBTL引脚图与封装图 
DTC015EUBTL引脚图
DTC015EUBTL封装图
DTC015EUBTL封装焊盘图
在线购买DTC015EUBTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC015EUBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTC015EUBTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC015EUBTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT-3 NPN | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm | 当前型号 |
| 型号： DTC043ZUBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT-3 0.2W | 完全替代 | NPN 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTC015EUBTL和DTC043ZUBTL的区别 |
| 型号： DTC044EUBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT-3 NPN | 完全替代 | DTC044EUBTL 编带 | DTC015EUBTL和DTC044EUBTL的区别 |
| 型号： DTC014YUBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT-3 NPN 200mW | 类似代替 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率 | DTC015EUBTL和DTC014YUBTL的区别 |