DTA115GKAT146
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA115GKAT146中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 82
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA115GKAT146引脚图与封装图
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在线购买DTA115GKAT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA | 搜索库存 |
替代型号DTA115GKAT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA115GKAT146 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-59 PNP -50V -100mA 0.2W | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA | 当前型号 |
| 型号： DDTA115GCA-7 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 100mA | 类似代替 | 1个PNP-预偏置 100mA 50V | DTA115GKAT146和DDTA115GCA-7的区别 |
| 型号： DDTA115GKA-7-F 品牌： 美台 封装： SC-59-3 PNP | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 200MW 100KOhms R2 ONLY | DTA115GKAT146和DDTA115GKA-7-F的区别 |