额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA113ZETL引脚图
DTA113ZETL封装图
DTA113ZETL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTA113ZETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 2.2 kohm | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTA113ZETL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: EMT PNP -50V -100mA 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 2.2 kohm | 当前型号 | |
型号: DDTA113ZE-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-523 PNP 150mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 150MW 1K 10K | DTA113ZETL和DDTA113ZE-7-F的区别 | |
型号: DTA113ZE 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT PNP | 功能相似 | DTA113ZE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/EMT3 标记E11 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 | DTA113ZETL和DTA113ZE的区别 | |
型号: DDTA113ZE-7 品牌: 美台 封装: SOT-523 PNP 150mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-523 T/R | DTA113ZETL和DDTA113ZE-7的区别 |