DTC023EEBTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC023EEBTL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTC023EEBTL引脚图与封装图 
DTC023EEBTL引脚图
DTC023EEBTL封装图
DTC023EEBTL封装焊盘图
在线购买DTC023EEBTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC023EEBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率 | 搜索库存 |
替代型号DTC023EEBTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC023EEBTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT-3 NPN | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率 | 当前型号 |
| 型号： DTC023EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT-3 NPN | 完全替代 | VMT NPN 50V 100mA | DTC023EEBTL和DTC023EMT2L的区别 |
| 型号： DTC123EETL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 NPN 50V 100mA 0.15W | 功能相似 | DTC123EETL 编带 | DTC023EEBTL和DTC123EETL的区别 |
| 型号： DTC043EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT-3 NPN | 功能相似 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率 | DTC023EEBTL和DTC043EMT2L的区别 |