DTB123YUT106
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB123YUT106引脚图
DTB123YUT106封装图
DTB123YUT106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTB123YUT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP -500mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -500mA -50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 搜索库存 |