DTC015TUBTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

1个NPN-预偏置 100mA 50V

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3F

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

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1个NPN-预偏置 100mA 50V

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323FL T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3F

DTC015TUBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

DTC015TUBTL引脚图与封装图

DTC015TUBTL引脚图

DTC015TUBTL封装图

DTC015TUBTL封装焊盘图

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