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DTC014TMT2L

DTC014TMT2L

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

VMT NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 VMT3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R


DTC014TMT2L中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

DTC014TMT2L引脚图与封装图
DTC014TMT2L引脚图

DTC014TMT2L引脚图

DTC014TMT2L封装图

DTC014TMT2L封装图

DTC014TMT2L封装焊盘图

DTC014TMT2L封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
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替代型号DTC014TMT2L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC014TMT2L

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: VMT-3 NPN

当前型号

VMT NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DTC015TMT2L

品牌: 罗姆半导体

封装: VMT-3 NPN

完全替代

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DTC014TMT2L和DTC015TMT2L的区别

型号: DTC015TEBTL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMT-3 NPN

完全替代

EMTF NPN 50V 100mA

DTC014TMT2L和DTC015TEBTL的区别

型号: DTC115TMT2L

品牌: 罗姆半导体

封装: VMT-3 NPN 50V 100mA 0.15W

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