
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
封装 SOT-723
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

DTA123EMT2L引脚图

DTA123EMT2L封装图

DTA123EMT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTA123EMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTA123EMT2L 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTA123EMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT PNP -50V -100mA 0.15W | 当前型号 | DTA123EMT2L 编带 | 当前型号 | |
型号: DTA123JMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 PNP -50V -100mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA | DTA123EMT2L和DTA123JMT2L的区别 | |
型号: DTC114EEBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMTF NPN 200mW | 功能相似 | 双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTA123EMT2L和DTC114EEBTL的区别 | |
型号: PDTC123JU,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 功能相似 | NXP PDTC123JU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE | DTA123EMT2L和PDTC123JU,115的区别 |