额定电压DC 50.0 V
额定电流 30.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3
封装 UMT-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
DTC144VUAT106引脚图
DTC144VUAT106封装图
DTC144VUAT106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DTC144VUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DTC144VUAT106 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT-3 NPN 50V 30mA | 当前型号 | UMT NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PDTC144VE,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT416 NPN | 功能相似 | SC-75 NPN 50V 100mA | DTC144VUAT106和PDTC144VE,115的区别 | |
型号: PDTC144VE 品牌: 恩智浦 封装: SC-75 NPN | 功能相似 | NPN电阻配备晶体管; R1 = 47 kΩ的, R2 = 10 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 10 kΩ | DTC144VUAT106和PDTC144VE的区别 | |
型号: DTC144VUA 品牌: 罗姆半导体 封装: | 功能相似 | 百毫安/ 50V数字晶体管(带内置式电阻器) 100mA / 50V Digital transistor with built-in resistors | DTC144VUAT106和DTC144VUA的区别 |