DTD743EETL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTD743EETL中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 200mA
最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTD743EETL引脚图与封装图 
DTD743EETL引脚图
DTD743EETL封装图
DTD743EETL封装焊盘图
在线购买DTD743EETL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTD743EETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | EMT NPN 30V 200mA | 搜索库存 |
替代型号DTD743EETL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTD743EETL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-75 NPN | 当前型号 | EMT NPN 30V 200mA | 当前型号 |
| 型号： DTD743EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 NPN | 类似代替 | VMT NPN 30V 200mA | DTD743EETL和DTD743EMT2L的区别 |