额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-490
封装 SOT-490
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTC114TEBTL引脚图
DTC114TEBTL封装图
DTC114TEBTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DTC114TEBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DTC114TEBTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: EMTF NPN 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | 当前型号 | |
型号: DTC114EKAFRAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | SMT NPN 50V 100mA | DTC114TEBTL和DTC114EKAFRAT146的区别 | |
型号: DTC114EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-346 NPN 50V 50mA 200mW | 功能相似 | ROHM DTC114EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114TEBTL和DTC114EKAT146的区别 | |
型号: DTC114EETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT NPN 50V 50mA 150mW | 功能相似 | ROHM DTC114EETL 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114TEBTL和DTC114EETL的区别 |