额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTC143XMT2L引脚图
DTC143XMT2L封装图
DTC143XMT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC143XMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC143XMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT-3 NPN 50V 100mA 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率 | 当前型号 | |
型号: DTC143ZMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 NPN 50V 100mA 150mW | 类似代替 | ROHM DTC143ZMT2L 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-723 | DTC143XMT2L和DTC143ZMT2L的区别 | |
型号: DTC143EMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT NPN 50V 100mA 0.15W | 类似代替 | DTC143E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字 晶体管 - VMT-3 | DTC143XMT2L和DTC143EMT2L的区别 | |
型号: DTC143EKAFRAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | SMT NPN 50V 100mA | DTC143XMT2L和DTC143EKAFRAT146的区别 |