额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTC043ZMT2L引脚图
DTC043ZMT2L封装图
DTC043ZMT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC043ZMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTC043ZMT2L 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC043ZMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT-3 NPN 0.15W | 当前型号 | DTC043ZMT2L 编带 | 当前型号 | |
型号: DTC043ZEBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 NPN 0.15W | 完全替代 | 双电阻器数字 NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTC043ZMT2L和DTC043ZEBTL的区别 | |
型号: DTC044EEBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 NPN 0.15W | 完全替代 | DTC044EEBTL 编带 | DTC043ZMT2L和DTC044EEBTL的区别 | |
型号: DTC015EEBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMTF NPN | 完全替代 | EMTF NPN 50V 100mA | DTC043ZMT2L和DTC015EEBTL的区别 |