DTC643TKT146
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC643TKT146中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 600mA
最小电流放大倍数hFE 820 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTC643TKT146引脚图与封装图 
DTC643TKT146引脚图
DTC643TKT146封装图
DTC643TKT146封装焊盘图
在线购买DTC643TKT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC643TKT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTC643TKT146 编带 | 搜索库存 |
替代型号DTC643TKT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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