DTC143EUAT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC143EUAT106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC143EUAT106引脚图与封装图 
DTC143EUAT106引脚图
DTC143EUAT106封装图
DTC143EUAT106封装焊盘图
在线购买DTC143EUAT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC143EUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 搜索库存 |
替代型号DTC143EUAT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC143EUAT106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT3 NPN 50V 100mA 200mW | 当前型号 | NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 当前型号 |
| 型号： DTC143XUBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT-3F NPN 0.2W | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率 | DTC143EUAT106和DTC143XUBTL的区别 |
| 型号： DTC143EKAT146 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-346 NPN 50V 100mA 200mW | 类似代替 | ROHM DTC143EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC143EUAT106和DTC143EKAT146的区别 |
| 型号： DTC143ZETL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 N-Channel 50V 100mA 150mW | 类似代替 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | DTC143EUAT106和DTC143ZETL的区别 |