
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

DTC115TETL引脚图

DTC115TETL封装图

DTC115TETL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC115TETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1个NPN-预偏置 100mA 50V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC115TETL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: EM-3 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 1个NPN-预偏置 100mA 50V | 当前型号 | |
型号: DDTC115TE-7 品牌: 美台 封装: SOT-523 NPN 50V 100mA | 类似代替 | TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523 | DTC115TETL和DDTC115TE-7的区别 | |
型号: PDTC115TE,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 150mW | 功能相似 | NXP PDTC115TE,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 100 hFE | DTC115TETL和PDTC115TE,115的区别 |