DTA123JUBTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA123JUBTL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
输出电压 100 mV
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3F-3
外形尺寸
封装 UMT-3F-3
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA123JUBTL引脚图与封装图 
DTA123JUBTL引脚图
DTA123JUBTL封装图
DTA123JUBTL封装焊盘图
在线购买DTA123JUBTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA123JUBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMTF PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号DTA123JUBTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA123JUBTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMTF PNP | 当前型号 | UMTF PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： DDTA123JUA-7 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW | DTA123JUBTL和DDTA123JUA-7的区别 |
| 型号： DTA123JUAT106 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT3 PNP -50V -100mA 0.2W | 功能相似 | PNP -100mA -50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） PNP -100mA -50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | DTA123JUBTL和DTA123JUAT106的区别 |
| 型号： DDTA123JUA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | PNP - 预偏压 100mA 50V | DTA123JUBTL和DDTA123JUA-7-F的区别 |