DTA115TUAT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA115TUAT106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 UMT-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA115TUAT106引脚图与封装图 
DTA115TUAT106引脚图
DTA115TUAT106封装图
DTA115TUAT106封装焊盘图
在线购买DTA115TUAT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA115TUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号DTA115TUAT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA115TUAT106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT-3 PNP -50V -100mA | 当前型号 | UMT PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： DDTA115TUA-7 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 50V 100mA | 类似代替 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R | DTA115TUAT106和DDTA115TUA-7的区别 |
| 型号： DDTA115GUA-7 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 50V 100mA | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R | DTA115TUAT106和DDTA115GUA-7的区别 |