DTA123JETL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA123JETL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-416-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DTA123JETL引脚图与封装图 
DTA123JETL引脚图
DTA123JETL封装图
DTA123JETL封装焊盘图
在线购买DTA123JETL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA123JETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTA123JETL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA123JETL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EM-3 PNP -50V -100mA 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm | 当前型号 |
| 型号： DTA123JET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | DTA123JETL和DTA123JET1G的区别 |
| 型号： DDTA123JE-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-523 PNP 150mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3Pin SOT-523 T/R | DTA123JETL和DDTA123JE-7-F的区别 |
| 型号： DTA123JET1 品牌： 安森美 封装： SOT-523/SC-75 PNP -50V -100mA | 功能相似 | DTA123JET1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记6M 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | DTA123JETL和DTA123JET1的区别 |