DTC914TUBTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 20V 400mA 35MHz 200mW Surface Mount UMT3F

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 20V 400mA 3-Pin UMTF T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 20V 400mA 3-Pin UMTF T/R

DTC914TUBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 400mA

最小电流放大倍数hFE 820 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 35 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UMT-3

外形尺寸

封装 UMT-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

DTC914TUBTL引脚图与封装图

DTC914TUBTL引脚图

DTC914TUBTL封装图

DTC914TUBTL封装焊盘图

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DTC914TUBTL	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm	搜索库存